MUN5111DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5111DW1T1G, 1 년 품질 보증
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| 부품 번호 | MUN5111DW1T1G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.091 | $0.073 | $0.039 | $0.025 | $0.017 | |
- 제품 매개 변수
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Product parameter
| 부품 번호 | MUN5111DW1T1G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 1314258 pcs |
| 데이터 시트 | MUN5111DW1, NSBA114EDxx |
| 제품 사진 | MUN5111DW1T1G.jpg |
| 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 연속 | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms |
| 전력 - 최대 | 250mW |
| 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 다른 이름들 | MUN5111DW1T1GOSCT |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | - |
| 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 35 @ 5mA, 10V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
| 기본 부품 번호 | MUN51**DW1T |
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